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AOTL66610
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 61A/350A TOLLA
4668 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 61A (Ta), 350A (Tc) 8.3W (Ta), 272W (Tc) Surface Mount TOLLA
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AOTL66610 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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AOTL66610

Descripción del producto

12938859

Número de pieza

AOTL66610-DG
AOTL66610

Descripción

MOSFET N-CH 60V 61A/350A TOLLA

Inventario

4668 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 61A (Ta), 350A (Tc) 8.3W (Ta), 272W (Tc) Surface Mount TOLLA
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  • 1000 0.7912 791.2000
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AOTL66610 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie AlphaSGT™

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 61A (Ta), 350A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3.6V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 7625 pF @ 30 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 8.3W (Ta), 272W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor TOLLA

Paquete / Caja 8-PowerSFN

Número de producto base AOTL666

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

AOTL66610

Hoja de datos HTML

AOTL66610-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
785-AOTL66610TR
785-AOTL66610DKR
785-AOTL66610CT
5202-AOTL66610TR

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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del transistor MOSFET de canal N TOLLA N-Channel Semiconductor Alpha-and-Omega?

Este transistor MOSFET de canal N TOLLA admite hasta 60V de tensión drenaje-fuente y puede manejar corrientes continuas de drenaje de 61A a 25°C, con una disipación de potencia de 8.3W. Destaca por su baja resistencia Rds On de 1.2 mOhm a 20A y 10V, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia.

¿Es compatible este MOSFET con diseños de PCB de montaje superficial?

Sí, este MOSFET está diseñado para montaje superficial, con encapsulado TOLLA y carcasa 8-PowerSFN, perfecta para procesos de montaje compacto y automatizado en placas PCB.

¿Qué aplicaciones son adecuadas para este MOSFET de canal N de 60V?

Este MOSFET es ideal para conmutación de potencia, control de motores y aplicaciones de fuentes de alimentación donde se requiera alta corriente y baja Rds On, especialmente en entornos con rangos de temperatura que van desde -55°C hasta 175°C.

¿Cuáles son las ventajas de elegir este MOSFET de Semiconductor Alpha-and-Omega?

Su alta capacidad de corriente, baja resistencia Rds On y excelente rendimiento térmico facilitan una gestión eficiente de la energía, reducción en la generación de calor y operación confiable en circuitos electrónicos exigentes.

¿Cumple este MOSFET con los estándares RoHS y otras normativas?

Sí, este MOSFET cumple con la normativa RoHS3 y no es afectado por las regulaciones REACH, garantizando que cumple con los estándares internacionales de medio ambiente y seguridad para componentes electrónicos.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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