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NESG270034-T1-AZ
CEL
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSIS
40545 Pcs Nuevos Originales En Stock
RF Transistor NPN 9.2V 750mA 1.9W Surface Mount SOT-89
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NESG270034-T1-AZ
Descripción del producto
12995428
Número de pieza
NESG270034-T1-AZ-DGFabricante
CEL
NESG270034-T1-AZ
Descripción
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISInventario
40545 Pcs Nuevos Originales En Stock
RF Transistor NPN 9.2V 750mA 1.9W Surface Mount SOT-89
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NESG270034-T1-AZ Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
9.2V
Frecuencia - Transición
-
Figura de ruido (dB Typ @ f)
-
Ganar
19.5dB
Potencia - Máx.
1.9W
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 100mA, 3V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
750mA
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-243AA
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-89
Hoja de Datos y Documentos
Hoja de datos HTML
NESG270034-T1-AZ-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
3923-NESG270034-T1-AZTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del transistor de RF de silicio de potencia media tipo NPN?
Este transistor de RF NPN funciona a 9.2V con una corriente de colector máxima de 750mA y una potencia de salida de 1.9W. Ofrece una ganancia de 19.5dB y está diseñado para aplicaciones de montaje superficial en el encapsulado SOT-89, adecuado para circuitos de RF de alta frecuencia.
¿Es este transistor bipolar de RF compatible con dispositivos o circuitos electrónicos específicos?
Sí, este transistor bipolar de RF es apto para su uso en diversas aplicaciones de amplificación y conmutación de RF, especialmente en aquellas que requieren alta ganancia y potencia media. Su encapsulado SOT-89 facilita su compatibilidad con muchos diseños de circuitos que requieren una instalación compacta.
¿Cuáles son las ventajas de usar este transistor de RF con encapsulado SOT-89?
El encapsulado SOT-89 ofrece un excelente rendimiento térmico y una montaje superficial confiable, lo que lo hace ideal para diseños de circuitos de alta densidad. Además, la alta ganancia y eficiencia energética del transistor mejoran el rendimiento general del circuito.
¿Este transistor de RF todavía está disponible para compra y qué garantías o soporte postventa ofrecen?
El transistor está en stock con más de 36,000 unidades disponibles. Dado que es un producto nuevo y original, se aplican las garantías y políticas de soporte estándar, pero actualmente está marcado como obsoleto, por lo que se recomienda consultar al proveedor para obtener opciones específicas de postventa.
¿Qué precauciones debo tomar al usar este transistor de RF en mi circuito?
Asegúrese de una adecuada disipación de calor y siga las especificaciones de voltaje y corriente máximos, que son 9.2V en emisor-colector y 750mA en corriente de colector, para mantener un rendimiento óptimo y evitar daños. También se recomienda verificar la compatibilidad con el rango de frecuencia de su aplicación.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NESG270034-T1-AZ CAD Models
CEL NESG270034-T1-AZ PCB symbols & footprints
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