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GP2T080A120U
SemiQ
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
68656 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
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GP2T080A120U SemiQ
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GP2T080A120U

Descripción del producto

12973184

Número de pieza

GP2T080A120U-DG

Fabricante

SemiQ
GP2T080A120U

Descripción

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

Inventario

68656 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
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GP2T080A120U Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante SemiQ

Embalaje Tube

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 20V

rds activados (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 20V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 10mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 20 V

Vgs (máx.) +25V, -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1377 pF @ 1000 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 188W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-247-3

Paquete / Caja TO-247-3

Número de producto base GP2T080A

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

GP2T080A120U

Hoja de datos HTML

GP2T080A120U-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
1560-GP2T080A120U

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