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BSZ0804LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
1000400 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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BSZ0804LSATMA1 Infineon Technologies
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BSZ0804LSATMA1

Descripción del producto

12975911

Número de pieza

BSZ0804LSATMA1-DG
BSZ0804LSATMA1

Descripción

MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON

Inventario

1000400 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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BSZ0804LSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie OptiMOS™ 5

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 11A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 9.6mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 36µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2100 pF @ 50 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PG-TDSON-8 FL

Paquete / Caja 8-PowerTDFN

Número de producto base BSZ0804

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

BSZ0804LS

Hoja de datos HTML

BSZ0804LSATMA1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
ISZ0804NLSATMA1
Infineon Technologies
7809
ISZ0804NLSATMA1-DG
0.5095
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las características clave del MOSFET Infineon BSZ0804LSATMA1?

El BSZ0804LSATMA1 es un MOSFET de canal N diseñado para alta eficiencia, con una tensión de drenaje a fuente de 100 V, hasta 40 A de corriente de drenaje continua a Tc, y una baja Rds(on) de 9,6 mΩ. Cuenta con un paquete en superficie PG-TDSON-8 y soporta operaciones desde -55°C hasta 150°C.

¿Es el MOSFET Infineon BSZ0804LSATMA1 adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia?

Sí, este MOSFET es adecuado para diversas aplicaciones de electrónica de potencia, como accionamientos de motores, fuentes de alimentación y convertidores DC-DC, gracias a su alta capacidad de corriente, baja Rds(on) y altas capacidades de disipación de potencia.

¿Cuál es la compatibilidad y la clasificación de voltaje del MOSFET BSZ0804LSATMA1?

El MOSFET tiene una tensión máxima de drenaje a fuente de 100 V y puede ser controlado con un voltaje en la puerta entre 4,5 V y 10 V, lo que lo hace compatible con sistemas estándar de gestión de potencia.

¿Cuáles son las ventajas de elegir el serie MOSFET OptiMOS™ 5 de Infineon?

La serie OptiMOS™ 5 ofrece una baja Rds(on), alta eficiencia y un rendimiento térmico excelente, ayudando a reducir pérdidas de energía y mejorar la fiabilidad general del sistema en sus diseños electrónicos.

¿Puedo adquirir el MOSFET BSZ0804LSATMA1 en grandes cantidades y qué cobertura de garantía ofrece?

Sí, este MOSFET está disponible en compras al por mayor, con más de 1 millón de unidades en stock, y cuenta con garantía y soporte del fabricante, asegurando calidad y fiabilidad en el suministro para sus proyectos.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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