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Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
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FS03MR12A6MA1LB
Infineon Technologies
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
36100 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB
Descripción del producto
12963909
Número de pieza
FS03MR12A6MA1LB-DGFabricante
Infineon Technologies
FS03MR12A6MA1LB
Descripción
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDDInventario
36100 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Embalaje
-
Serie
HybridPACK™
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400A
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.55V @ 240mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1320nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42600pF @ 600V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-HYBRIDD-2
Número de producto base
FS03MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FS03MR12A6MA1LB
Hoja de datos HTML
FS03MR12A6MA1LB-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
6
Otros nombres
448-FS03MR12A6MA1LB
SP002725554
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la clasificación de voltaje del array de MOSFET de Infineon FS03MR12A6MA1LB?
El array de MOSFET tiene una tensión drain-to-source (Vdss) de 1200V (1,2kV), compatible con aplicaciones de potencia de alto voltaje.
¿Es compatible el array híbrido de MOSFET de Infineon con aplicaciones de alta corriente?
Sí, este array de MOSFET puede soportar una corriente continua de drenaje de hasta 400A a 25°C, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia de alta corriente.
¿Cuáles son las principales ventajas de usar MOSFETs de Carburo de Silicio (SiC) como la serie HybridPACK™?
Los MOSFETs de Carburo de Silicio ofrecen mayor eficiencia, velocidades de conmutación más rápidas y mejor rendimiento térmico en comparación con los dispositivos de silicio tradicionales, mejorando la fiabilidad general del sistema.
¿Se puede usar el array de MOSFET de Infineon en accionamientos de motores industriales y convertidores de potencia?
Sí, el FS03MR12A6MA1LB está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, como accionamientos industriales, inversores de potencia y otros sistemas de conversión de energía.
¿Cuál es el tipo de montaje y la encapsulación de este módulo de MOSFET, y cumple con RoHS?
El array de MOSFET es un módulo de montaje en chasis con encapsulado AG-HYBRIDD-2 y cumple con RoHS3, garantizando estándares de fabricación respetuosos con el medio ambiente.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
FS03MR12A6MA1LB CAD Models
Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB PCB symbols & footprints
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