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IAUC100N04S6N022ATMA1
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
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IAUC100N04S6N022ATMA1
Descripción del producto
12954108
Número de pieza
IAUC100N04S6N022ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
Descripción
IAUC100N04S6N022ATMA1Inventario
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IAUC100N04S6N022ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.26mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 32µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2421 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IAUC100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IAUC100N04S6N022
Hoja de datos HTML
IAUC100N04S6N022ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IAUC100N04S6N022ATMA1CT
SP001790496
448-IAUC100N04S6N022ATMA1TR
448-IAUC100N04S6N022ATMA1DKR
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la función principal del MOSFET Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1?
El MOSFET Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1 es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación, capaz de manejar altas corrientes de hasta 100A y voltajes de hasta 40V, lo que lo hace adecuado para usos en automoción y gestión de energía.
¿Es el IAUC100N04S6N022ATMA1 apto para aplicaciones automotrices?
Sí, este MOSFET cumple con los estándares AEC-Q101 y está específicamente diseñado para entornos automotrices, garantizando fiabilidad y rendimiento en condiciones exigentes.
¿Cuáles son las principales especificaciones eléctricas de este MOSFET?
El dispositivo tiene una tensión entre drenaje y fuente de 40V, una resistencia Rds(on) de 2,26 mΩ a 50A y 10V, y una corriente continua máxima de drenaje de 100A a 25°C, asegurando una alta eficiencia en conmutación de potencia.
¿Cómo afecta el embalaje del IAUC100N04S6N022ATMA1 a la instalación?
Este MOSFET viene en un embalaje Tape & Reel (TR) con una carcasa de 8-PowerTDFN, apto para montaje superficial en placas de circuito impreso, facilitando los procesos de fabricación automatizada.
¿Cuáles son las ventajas de elegir este MOSFET frente a otros tipos?
Este MOSFET ofrece una baja resistencia Rds(on), alta capacidad de corriente y un rango de temperatura de operación robusto, desde -55°C hasta 175°C, proporcionando control de potencia eficiente y durabilidad para aplicaciones exigentes.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IAUC100N04S6N022ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUC100N04S6N022ATMA1 PCB symbols & footprints
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