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IAUC120N04S6L005ATMA1
Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1
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N-Channel 40 V 120A (Tj) 187W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53
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IAUC120N04S6L005ATMA1
Descripción del producto
12980260
Número de pieza
IAUC120N04S6L005ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1
Descripción
IAUC120N04S6L005ATMA1Inventario
1000400 Pcs Nuevos Originales En Stock
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IAUC120N04S6L005ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.55mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11203 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-53
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IAUC120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IAUC120N04S6L005
Hoja de datos HTML
IAUC120N04S6L005ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IAUC120N04S6L005ATMA1CT
448-IAUC120N04S6L005ATMA1DKR
SP001723538
448-IAUC120N04S6L005ATMA1TR
Reviews
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Dec 02, 2025
手頃な価格とエコな梱包に感動しました。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales y especificaciones del MOSFET Infineon IAUC120N04S6L005ATMA1?
El IAUC120N04S6L005ATMA1 es un MOSFET de canal N con una tensión nominal de 40 V, una corriente de drenaje continua de 120 A y una disipación de potencia de 187 W. Cuenta con una resistencia Rds(on) baja de 0,55 mΩ a 60 A y 10 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.
¿Es el MOSFET Infineon IAUC120N04S6L005ATMA1 apropiado para uso en automoción?
Sí, este MOSFET está clasificado para aplicaciones automotrices y cumple con el estándar AEC-Q101, garantizando fiabilidad y rendimiento en entornos automotrices.
¿Cuáles son los requisitos de compatibilidad y voltaje de conducción para este MOSFET?
El MOSFET puede ser conducido con un Vgs máximo de 16 V, con un voltaje de conducción recomendado entre 4,5 V y 10 V. Es compatible con los voltajes de control de puerta estándar utilizados en sistemas de gestión de energía.
¿Cómo beneficia el tipo de encapsulado y montaje de este MOSFET a la cuestión de ensamblaje del producto?
El MOSFET viene en un paquete Tape & Reel (TR) con una carcasa PowerTDFN de 8 pines, diseñado para montaje superficial, lo que simplifica el ensamblaje automatizado y garantiza una instalación segura en diseños compactos.
¿Qué tipo de soporte postventa y disponibilidad de stock puedo esperar para este MOSFET?
El producto está en estado activo con más de 1.2 millones de unidades en stock, ofrecido como nuevo y original, asegurando entregas rápidas. El soporte y la garantía se pueden consultar con el proveedor para un servicio confiable tras la compra.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IAUC120N04S6L005ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUC120N04S6L005ATMA1 PCB symbols & footprints
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