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Inspección visual y de embalaje
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IAUT300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
89822 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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IAUT300N10S5N014ATMA1
Descripción del producto
12968958
Número de pieza
IAUT300N10S5N014ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N014ATMA1
Descripción
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8Inventario
89822 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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IAUT300N10S5N014ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
360A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 275µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
216 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16011 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IAUT300N10S5N014
Hoja de datos HTML
IAUT300N10S5N014ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IAUT300N10S5N014ATMA1DKR
SP005427384
448-IAUT300N10S5N014ATMA1TR
448-IAUT300N10S5N014ATMA1CT
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del MOSFET de canal N OptiMOS™ de Infineon?
El MOSFET cuenta con una tensión de drenaje a fuente de 100V, corriente de drenaje continua de 360A, una resistencia Rds On baja de 1.4 mΩ y una disipación máxima de potencia de 375W, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
¿Es este MOSFET compatible con el diseño de circuitos en montaje superficial?
Sí, es un dispositivo de montaje superficial con un encapsulado PG-HSOF-8-1, diseñado para integrarse fácilmente en placas de circuito impreso de montaje superficial.
¿Qué aplicaciones son adecuadas para este MOSFET de 100V y 360A?
Este MOSFET de alta corriente es ideal para unidades de alimentación, control de motores y otras aplicaciones de conmutación de alta potencia donde se requiere un rendimiento eficiente.
¿Cuál es el rango máximo de temperatura de operación para este MOSFET?
El MOSFET puede operar en un rango de temperatura de -55°C a 175°C, siendo adecuado para diversos entornos industriales y electrónicos.
¿Este MOSFET cumple con los estándares de cumplimiento RoHS y REACH?
Sí, el MOSFET cumple con la normativa RoHS3 y no afecta las regulaciones REACH, garantizando un uso ambientalmente responsable y más seguro.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IAUT300N10S5N014ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUT300N10S5N014ATMA1 PCB symbols & footprints
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