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IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89088 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1
Descripción del producto
12999225
Número de pieza
IMZA120R007M1HXKSA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IMZA120R007M1HXKSA1
Descripción
SIC DISCRETEInventario
89088 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
225A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.2V @ 47mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9170 nF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-4-8
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IMZA120R007M1H
Hoja de datos HTML
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características y especificaciones del MOSFET N-Channel CoolSiC™ de Infineon (IMZA120R007M1HXKSA1)?
Este MOSFET de carburo de silicio (SiC) cuenta con una tensión nominal de 1200V, una corriente continua de drenaje de 225A a 25°C y una disipación de potencia de hasta 750W. Está diseñado para conmutación de alta eficiencia con una resistencia Rds On optimizada (máximo 9,9 mΩ a 108A y 18V).
¿Es compatible el MOSFET discreto SIC de Infineon con aplicaciones de alta temperatura?
Sí, este MOSFET funciona en un rango de temperatura de -55°C a 175°C, lo que lo hace apto para entornos de alta temperatura en aplicaciones de electrónica de potencia e industriales.
¿Cómo beneficia la tecnología SiCFET a este MOSFET en comparación con los dispositivos tradicionales de silicio?
La tecnología de carburo de silicio (SiC) ofrece menores pérdidas de conmutación, mayor eficiencia y mejor rendimiento térmico, lo que ayuda a reducir el consumo energético y mejorar la fiabilidad del dispositivo en sistemas de conversión de potencia.
¿Qué opciones de encapsulado y soportes están disponibles para este MOSFET, y es apto para montaje en through-hole?
El MOSFET viene en un encapsulado PG-TO247-4, diseñado para montaje en orificio pasante, ofreciendo soporte mecánico robusto y una buena gestión térmica para circuitos de potencia.
¿Qué beneficios ofrece comprar este MOSFET directamente del fabricante en cuanto a garantía y soporte técnico?
Adquirirlo directamente en Infineon Technologies garantiza productos originales, de alta calidad, con soporte técnico confiable, asegurando un rendimiento óptimo y cumplimiento con estándares internacionales como RoHS y REACH.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
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