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IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
89922 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
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IPB65R050CFD7AATMA1

Descripción del producto

12968826

Número de pieza

IPB65R050CFD7AATMA1-DG
IPB65R050CFD7AATMA1

Descripción

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

Inventario

89922 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
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IPB65R050CFD7AATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie CoolMOS™

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 45A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 24.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 1.24mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 102 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 4975 pF @ 400 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 227W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PG-TO263-3

Paquete / Caja TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base IPB65R

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

IPB65R050CFD7A

Hoja de datos HTML

IPB65R050CFD7AATMA1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPB65R050CFD7AATMA1CT
SP003793200
448-IPB65R050CFD7AATMA1DKR
448-IPB65R050CFD7AATMA1TR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
2663
IPB65R045C7ATMA2-DG
7.1903
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Reviews

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하***물
Dec 02, 2025
5.0
다양한 부품들을 폭넓게 갖추고 있어 선택의 폭이 넓습니다. 재고도 충분해서 좋습니다.
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET Infineon IPB65R050CFD7AATMA1?

El MOSFET Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 es un transistor de alta rendimiento de canal N, con una tensión de 650 V, una corriente de drenaje continua de 45 A y una disipación de potencia de hasta 227 W, diseñado para aplicaciones de energía automotriz.

¿Es adecuado el MOSFET Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 para proyectos electrónicos automotrices?

Sí, este MOSFET está especialmente diseñado para aplicaciones automotrices, ofreciendo una alta capacidad de voltaje y corriente, además de un rendimiento térmico y eléctrico sólido, ideal para sistemas de energía en automóviles.

¿Qué tipo de montaje utiliza el IPB65R050CFD7AATMA1 y es compatible con diseños de PCB de montaje superficial?

Este MOSFET utiliza un paquete de montaje superficial (TO-263-3), lo que lo hace compatible con ensamblajes de PCB de montaje superficial comúnmente usados en proyectos automotrices y electrónicos.

¿Cuáles son los beneficios de usar MOSFETs de la serie CoolMOS™, como el IPB65R050CFD7AATMA1?

Los MOSFETs CoolMOS™ se destacan por su alta eficiencia, baja resistencia Rds(on) y excelente rendimiento en conmutación, lo que ayuda a reducir pérdidas de energía y mejorar la fiabilidad general del sistema en aplicaciones de potencia.

¿Dónde puedo comprar el MOSFET IPB65R050CFD7AATMA1 y qué garantías o soporte ofrecen?

El IPB65R050CFD7AATMA1 está disponible en grandes cantidades a través de distribuidores autorizados. Para detalles sobre garantía y soporte, consulte con el vendedor o el servicio de atención al cliente del fabricante.

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