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Infineon Technologies
TRENCH >=100V
1384 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 35A (Ta), 276A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
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IPF015N10N5ATMA1
Descripción del producto
12991537
Número de pieza
IPF015N10N5ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IPF015N10N5ATMA1
Descripción
TRENCH >=100VInventario
1384 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 35A (Ta), 276A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
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IPF015N10N5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta), 276A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.53mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 279µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-1
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IPF015
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPF015N10N5
Hoja de datos HTML
IPF015N10N5ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPF015N10N5ATMA1DKR
SP005736730
448-IPF015N10N5ATMA1TR
448-IPF015N10N5ATMA1CT
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IPF015N10N5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPF015N10N5ATMA1 PCB symbols & footprints
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