Prevención de falsificaciones y defectos
Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
Correo electrónico de servicio:
[email protected]
>
IPT010N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
89922 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Solicitar Cotización
(Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
5.0 / 5.0
- (118 Calificaciones)
IPT010N08NM5ATMA1
Descripción del producto
12958110
Número de pieza
IPT010N08NM5ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IPT010N08NM5ATMA1
Descripción
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Inventario
89922 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Compra e consulta
Garantía y Devoluciones
Cómo hacer un pedido
Envío y Entrega
Aseguramiento de Calidad
365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.
Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.
Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.
Envío Global y Embalaje Seguro
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Empaquetado Antiestático 100% ESD
Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido
Pago seguro y flexible
Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más
Todos los pagos encriptados por seguridad
IPT010N08NM5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Ta), 425A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 280µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16000 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IPT010N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPT010N08NM5
Hoja de datos HTML
IPT010N08NM5ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
他們的包裝用了很多可再生材料，且完全沒有塑膠味，環保又健康，配送速度也很快，滿意！
Dec 02, 2025
Jeder Kauf bei DiGi Electronics bestätigt mich in meiner Entscheidung. Sehr vertrauenswürdig.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics' efficient logistics support complements their inventory system perfectly.
Dec 02, 2025
The combination of competitive prices and sturdy packaging is what keeps me coming back.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics provides premium value at a fraction of the cost of competitors.
Dec 02, 2025
Customer support was quick to respond and very helpful after my purchase.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal N Infineon OptiMOS™ IPT010N08NM5ATMA1?
Este MOSFET cuenta con una tensión de drenaje a fuente de 80 V, una baja resistencia Rds On de 1.05 mΩ a 150 A, y soporta altas capacidades de corriente de hasta 43 A (Ta) y 425 A (Tc). Está diseñado para conmutación eficiente de potencia con un paquete de montaje superficial PG-HSOF-8 y funciona en un amplio rango de temperatura, desde -55 °C hasta 175 °C.
¿Es el MOSFET Infineon IPT010N08NM5ATMA1 adecuado para aplicaciones de conmutación de altas corrientes?
Sí, este MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de altas corrientes, con una corriente continua de drenaje de hasta 43 A a 25 °C y una corriente de pulso de 425 A (Tc), lo que lo hace adecuado para la gestión de energía exigente y control de motores.
¿Cuál es la compatibilidad de este MOSFET con diferentes voltajes de conducción de la compuerta?
El MOSFET soporta voltajes de conducción de 6 V y 10 V para una operación de baja resistencia Rds On, proporcionando flexibilidad en el circuito de control de la compuerta y asegurando un rendimiento y eficiencia óptimos.
¿Puedo comprar este MOSFET al por mayor y viene con un embalaje estándar?
Sí, este producto está disponible en inventario mayorista con más de 90,000 unidades en stock, embalada en Tape & Reel (TR) para facilitar el ensamblaje automatizado y garantizar un manejo fiable durante la fabricación.
¿Cuáles son las certificaciones y cumplimientos ambientales del MOSFET Infineon IPT010N08NM5ATMA1?
Este MOSFET cumple con la normativa RoHS3, no afecta a REACH y tiene un Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL 1) ilimitado, asegurando que cumple con los estándares internacionales de medio ambiente y seguridad para componentes electrónicos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IPT010N08NM5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT010N08NM5ATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
