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Inspección visual y de embalaje
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IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
42100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1
Descripción del producto
12992708
Número de pieza
IPT017N12NM6ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IPT017N12NM6ATMA1
Descripción
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInventario
42100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™ 6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Ta), 331A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 275µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 395W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IPT017
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPT017N12NM6
Hoja de datos HTML
IPT017N12NM6ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IPT017N12NM6ATMA1TR
448-IPT017N12NM6ATMA1CT
448-IPT017N12NM6ATMA1DKR
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Aseguramiento de Calidad (QC)
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IPT017N12NM6ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT017N12NM6ATMA1 PCB symbols & footprints
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