Prevención de falsificaciones y defectos
Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
Correo electrónico de servicio:
[email protected]
>
IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
90022 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Solicitar Cotización
(Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
5.0 / 5.0
- (291 Calificaciones)
IPT039N15N5ATMA1
Descripción del producto
12974925
Número de pieza
IPT039N15N5ATMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IPT039N15N5ATMA1
Descripción
OPTIMOS 5 POWER MOSFETInventario
90022 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Compra e consulta
Garantía y Devoluciones
Cómo hacer un pedido
Envío y Entrega
Aseguramiento de Calidad
365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.
Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.
Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.
Envío Global y Embalaje Seguro
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Empaquetado Antiestático 100% ESD
Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido
Pago seguro y flexible
Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más
Todos los pagos encriptados por seguridad
IPT039N15N5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.6V @ 257µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7700 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPT039N15N5
Hoja de datos HTML
IPT039N15N5ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Une équipe de support client très à l'écoute et réactive.
Dec 02, 2025
Die prompte Unterstützung bei jedem Anliegen macht DiGi Electronics zu einem Top-Anbieter.
Dec 02, 2025
The website's design minimizes clutter, making browsing stress-free.
Dec 02, 2025
I am glad to choose DiGi Electronics for their quality and support.
Dec 02, 2025
The packaging was impressive—protective and secure, preventing any damage during transit.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ 5?
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ 5 es un MOSFET de canal N de alto rendimiento con una tensión de drenaje a fuente de 150V y una corriente continua de drenaje de 21A a 25°C, ofreciendo baja resistencia Rds(On) y una excelente disipación de potencia para aplicaciones de conmutación eficientes.
¿Es compatible el MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ 5 con diseños de montaje superficial?
Sí, este MOSFET está diseñado con un paquete PG-HSOF-8 de montaje superficial, lo que lo hace adecuado para diseños de PCB compactos y de alta densidad, comunes en la electrónica moderna.
¿Qué aplicaciones son adecuadas para el MOSFET de potencia OptiMOS™ 5?
Este MOSFET es ideal para gestión de energía, control de motores, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de fuentes de alimentación con conmutación de alta eficiencia, gracias a su alta capacidad de corriente y baja Rds(On).
¿Cuáles son las ventajas de usar el MOSFET Infineon OptiMOS™ 5 en comparación con otros tipos?
Este MOSFET reduce pérdidas por conducción, tiene una alta capacidad de disipación de potencia y opera de manera confiable en un amplio rango de temperaturas, lo que mejora la eficiencia y durabilidad del sistema en general.
¿El MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 cuenta con inventario confiable y soporte?
Sí, el producto está en inventario activo con más de 90,000 unidades disponibles, garantizando entregas oportunas y un suministro constante para sus proyectos, además de cumplir con la normativa RoHS.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IPT039N15N5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT039N15N5ATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
