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PMPB40SNA115
NXP USA Inc.
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
1381 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 12.9A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
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PMPB40SNA115
Descripción del producto
12935922
Número de pieza
PMPB40SNA115-DGFabricante
NXP USA Inc.
PMPB40SNA115
Descripción
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInventario
1381 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 12.9A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
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PMPB40SNA115 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
612 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN2020MD-6
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar PMPB40SNA115 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
Datasheet
Hoja de datos HTML
PMPB40SNA115-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-PMPB40SNA115
NEXNXPPMPB40SNA115
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET NXP PMPB40SNA115?
El PMPB40SNA115 es un MOSFET de canal N de alto rendimiento con una tensión de drenaje a fuente de 60 V, una corriente continua de drenaje de 12.9 A y una baja RdsOn de 43 mΩ. Es adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren una gestión eficiente de la energía.
¿Cómo mejora el MOSFET NXP PMPB40SNA115 la eficiencia energética en dispositivos electrónicos?
La baja RdsOn y la alta capacidad de disipación de potencia de este MOSFET le permiten reducir la pérdida de energía durante la conmutación, mejorando la eficiencia general de energía en sus circuitos y disminuyendo la generación de calor.
¿Es compatible el MOSFET NXP PMPB40SNA115 con diseños de PCB de montaje superficial?
Sí, cuenta con un encapsulado de montaje superficial DFN2020MD-6, lo que lo hace ideal para diseños compactos de PCB y procesos de ensamblaje automatizado en dispositivos electrónicos modernos.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas del MOSFET NXP PMPB40SNA115?
Este MOSFET se utiliza comúnmente en gestión de energía, control de motores, fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de alto voltaje y alta corriente donde la conmutación de potencia confiable y eficiente es fundamental.
¿Qué opciones de garantía y soporte post venta ofrece el MOSFET NXP PMPB40SNA115?
Dado que el producto es nuevo y está en stock, normalmente incluye garantía del fabricante y servicios de soporte. Consulte al proveedor para obtener información específica sobre asistencia post venta y políticas de devolución.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
PMPB40SNA115 CAD Models
NXP USA Inc. PMPB40SNA115 PCB symbols & footprints
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