PMPB40SNA115 NXP USA Inc.
4.9 / 5.0 - (438 Calificaciones)

PMPB40SNA115

Descripción del producto

12935922

Número de pieza

PMPB40SNA115-DG

Fabricante

NXP USA Inc.
PMPB40SNA115

Descripción

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Inventario

1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 12.9A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
FETs individuales, MOSFETs
PMPB40SNA115 Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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PMPB40SNA115 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante NXP Semiconductors

Embalaje -

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 12.9A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 43mOhm @ 4.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 612 pF @ 30 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor DFN2020MD-6

Paquete / Caja 6-UDFN Exposed Pad

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar PMPB40SNA115 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos

Datasheet
Hoja de datos HTML

PMPB40SNA115-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-PMPB40SNA115
NEXNXPPMPB40SNA115
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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