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onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
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FCH043N60

Descripción del producto

12839481

Número de pieza

FCH043N60-DG

Fabricante

onsemi
FCH043N60

Descripción

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3

Inventario

1411 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
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FCH043N60 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante onsemi

Embalaje -

Serie SuperFET® II

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 75A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 43mOhm @ 38A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 215 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 12225 pF @ 400 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 592W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-247-3

Paquete / Caja TO-247-3

Número de producto base FCH043

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

FCH043N60

Hoja de datos HTML

FCH043N60-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) Not Applicable
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
SIHG64N65E-GE3
Vishay Siliconix
1322
SIHG64N65E-GE3-DG
7.5434
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Lach***icht
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las características clave y especificaciones del MOSFET FCH043N60 de onsemi?

El FCH043N60 es un MOSFET de canal N con una tensión nominal de 600 V y una corriente de drenaje continua de 75 A a 25 °C. Cuenta con una resistencia Rds On baja de 43 mΩ a 38 A y 10 V Vgs, adecuado para aplicaciones de energía de alto voltaje. El dispositivo se monta mediante orificio pasante en un paquete TO-247-3 y soporta temperaturas de operación desde -55 °C hasta 150 °C.

¿Es el MOSFET FCH043N60 de onsemi adecuado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje?

Sí, el FCH043N60 está diseñado para conmutación de alto voltaje, con una tensión dreno a fuente de 600 V y una capacidad de disipación de potencia de hasta 592 W en la temperatura de la carcasa, lo que lo hace ideal para conversión de energía y circuitos inversores.

¿Es compatible el MOSFET FCH043N60 con voltajes estándar de conmutación de puerta?

Sí, este MOSFET opera con un voltaje máximo puerta a source de ±20 V y un voltaje de conducción recomendado de 10 V, asegurando un rendimiento confiable de conmutación en diversos sistemas de electrónica de potencia.

¿Cuáles son las ventajas de usar los MOSFETs de la serie SuperFET® II como el FCH043N60?

Los MOSFETs de la serie SuperFET® II ofrecen una baja resistencia Rds On, alta tolerancia a voltajes elevados y altas capacidades de disipación de potencia, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento térmico en aplicaciones de conmutación de energía, ayudando a reducir las pérdidas del sistema.

¿Dónde puedo encontrar soporte o comprar el MOSFET FCH043N60 y qué debo saber sobre su disponibilidad?

El FCH043N60 está disponible en stock con 1,638 unidades, y es adecuado para varias aplicaciones que requieren MOSFETs de alto voltaje. Aunque está listado como obsoleto, puedes adquirirlo a través de distribuidores autorizados y explorar sustitutos alternativos como SIHG64N65E-GE3 o IXTQ18N60P.

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