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NTH4L028N170M1
onsemi
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
1160 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L028N170M1
Descripción del producto
13001833
Número de pieza
NTH4L028N170M1-DGFabricante
onsemi
NTH4L028N170M1
Descripción
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERInventario
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NTH4L028N170M1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
81A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
200 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4230 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
535W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
NTH4L02
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar NTH4L028N170M1 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
NTH4L028N170M1
Hoja de datos HTML
NTH4L028N170M1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
488-NTH4L028N170M1
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NTH4L028N170M1 CAD Models
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