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NTH4L040N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
9738 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1
Descripción del producto
12938497
Número de pieza
NTH4L040N120SC1-DGFabricante
onsemi
NTH4L040N120SC1
Descripción
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4Inventario
9738 Pcs Nuevos Originales En Stock
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NTH4L040N120SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1762 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
319W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
NTH4L040
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NTH4L040N120SC1
Hoja de datos HTML
NTH4L040N120SC1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características y ventajas del MOSFET NTH4L040N120SC1 SiCFET?
El NTH4L040N120SC1 cuenta con una clasificación de voltaje de hasta 1200V y una corriente de drenaje continua de 58A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia. Su tecnología SiCFET garantiza conmutación eficiente y baja resistencia Rds On, reduciendo pérdidas de potencia y generación de calor.
¿Es compatible el MOSFET NTH4L040N120SC1 con circuitos electrónicos comunes?
Sí, este MOSFET de canal N está diseñado con un Vgs(max) de +25V y -15V, lo que lo hace compatible con voltajes de control estándar. Su paquete de orificio pasante TO-247-4L facilita su integración en diferentes configuraciones de montaje.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas del MOSFET NTH4L040N120SC1?
Este MOSFET de carburo de silicio (SiC) de alta tensión es ideal para fuentes de alimentación, accionamientos de motores y aplicaciones de conmutación de altas tensiones donde se requiere un rendimiento eficiente y confiable.
¿Cómo beneficia el rendimiento térmico del NTH4L040N120SC1 al diseño de dispositivos?
Con una disipación de potencia máxima de 319W a 25°C y un rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 175°C, este MOSFET ofrece un excelente rendimiento térmico, permitiendo una operación robusta en entornos exigentes.
¿El NTH4L040N120SC1 cuenta con opciones de garantía o soporte postventa?
Al ser un producto original en stock, es suministrado por el confiable fabricante onsemi. Para soporte de garantía o postventa específico, comuníquese directamente con el proveedor o distribuidores autorizados.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NTH4L040N120SC1 CAD Models
onsemi NTH4L040N120SC1 PCB symbols & footprints
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