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NTMFS002P03P8ZT1G
onsemi
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
1500 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 30 V 40.2A (Ta), 263A (Tc) 3.3W (Ta), 138.9W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS002P03P8ZT1G
Descripción del producto
12963609
Número de pieza
NTMFS002P03P8ZT1G-DGFabricante
onsemi
NTMFS002P03P8ZT1G
Descripción
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SOInventario
1500 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 30 V 40.2A (Ta), 263A (Tc) 3.3W (Ta), 138.9W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS002P03P8ZT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40.2A (Ta), 263A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
217 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14950 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hoja de datos HTML
NTMFS002P03P8ZT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NTMFS002P03P8ZT1GTR
488-NTMFS002P03P8ZT1GCT
488-NTMFS002P03P8ZT1GDKR
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal P onsemi NTMFS002P03P8ZT1G?
Este MOSFET de canal P ofrece una tensión de drenaje a fuente de 30V, una corriente de drenaje continua de 40,2A a 25°C y una resistencia Rds(on) baja de 1,4 mΩ a 10V. Es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta corriente en paquetes compactos de montaje en superficie de 5x6 mm.
¿Cuáles son las aplicaciones comunes de este MOSFET de potencia?
El onsemi NTMFS002P03P8ZT1G es ideal para conmutación de potencia de alta eficiencia, control de motores y circuitos de conmutación de cargas que requieren alta corriente y baja resistencia en estado de conducción.
¿Este MOSFET de canal P es compatible con diseños estándar de PCB de montaje en superficie?
Sí, viene en un paquete de montaje en superficie 5-DFN (5x6 mm), lo que lo hace compatible con diseños modernos de PCB que requieren componentes de potencia compactos y confiables.
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento y las características de fiabilidad de este MOSFET?
Este MOSFET funciona de -55°C a 150°C y cumple con RoHS3, garantizando una fabricación respetuosa con el medio ambiente. Su alta capacidad de disipación de potencia y nivel de sensibilidad a la humedad 1 lo hacen confiable para diversas aplicaciones industriales.
¿Cómo puedo comprar y asegurar la autenticidad de este MOSFET?
Este producto está en stock como artículo nuevo y original, con más de 3400 unidades disponibles. Siempre adquiera a distribuidores autorizados para garantizar su autenticidad y acceder a garantías completas y servicios de soporte.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NTMFS002P03P8ZT1G CAD Models
onsemi NTMFS002P03P8ZT1G PCB symbols & footprints
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