NTMFS0D7N03CGT1G
onsemi
MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
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NTMFS0D7N03CGT1G

Descripción del producto

12939936

Número de pieza

NTMFS0D7N03CGT1G-DG

Fabricante

onsemi
NTMFS0D7N03CGT1G

Descripción

MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN

Inventario

3200 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 59A (Ta), 409A (Tc) 4W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS0D7N03CGT1G Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante onsemi

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 59A (Ta), 409A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 0.65mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 280µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 147 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 12300 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 4W (Ta), 187W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquete / Caja 8-PowerTDFN, 5 Leads

Número de producto base NTMFS0

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

NTMFS0D7N03CG

Hoja de datos HTML

NTMFS0D7N03CGT1G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NTMFS0D7N03CGT1GDKR
488-NTMFS0D7N03CGT1GCT
488-NTMFS0D7N03CGT1GTR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
NTMFS0D7N03CGT1G
onsemi
3200
NTMFS0D7N03CGT1G-DG
2.1576
Parametric Equivalent

Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las características principales del MOSFET de canal N NTMFS0D7N03CGT1G?
Este MOSFET ofrece una tensión máxima entre drenaje y fuente de 30 V, una corriente continua de drenaje de 59 A y una resistencia Rds On baja de 0,65 miliohmios a 30 A. Está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie con un paquete 5-DFN y soporta una alta disipación de potencia de hasta 4 W (entorno) y 187 W (dispositivo).
¿El MOSFET NTMFS0D7N03CGT1G es compatible con circuitos electrónicos y de potencia estándar?
Sí, este MOSFET es adecuado para diversas aplicaciones de conmutación de alta corriente y gestión de potencia gracias a su bajo Rds On y sus altas capacidades de corriente. Su diseño en montaje superficial facilita su integración en placas de circuito estándar.
¿Qué aplicaciones son ideales para el MOSFET NTMFS0D7N03CGT1G?
Este MOSFET de canal N es ideal para fuentes de alimentación, control de motores, iluminación LED y otras aplicaciones de conmutación de alta eficiencia que requieren conmutación rápida y rendimiento confiable a altas corrientes.
¿Cuáles son las ventajas de elegir este MOSFET sobre otros modelos?
Su bajo Rds On, alta capacidad de corriente y robusta disipación de potencia lo hacen altamente eficiente para aplicaciones exigentes. Además, cumple con las normas RoHS 3 y tiene un amplio rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 175°C.
¿Cómo puedo adquirirlo y cuál es la garantía del MOSFET NTMFS0D7N03CGT1G?
Este MOSFET está disponible en empaquetado en cinta y carrete, lo que facilita su adquisición en masa. Para detalles de garantía, consulte la política del proveedor; el producto es nuevo, original y está en stock para una entrega rápida.
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