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NTMTS002N10MCTXG
onsemi
PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
360400 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
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NTMTS002N10MCTXG
Descripción del producto
12991752
Número de pieza
NTMTS002N10MCTXG-DGFabricante
onsemi
NTMTS002N10MCTXG
Descripción
PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 SInventario
360400 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
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NTMTS002N10MCTXG Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
45A (Ta), 236A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 520µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6305 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
9W (Ta), 255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
NTMTS002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NTMTS002N10MC
Hoja de datos HTML
NTMTS002N10MCTXG-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2832-NTMTS002N10MCTXG
488-NTMTS002N10MCTXGTR
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET onsemi NTMTS002N10MCTXG?
El onsemi NTMTS002N10MCTXG es un MOSFET de canal N de 100V con una resistencia Rds On de 2,3 mΩ, capaz de manejar una corriente continua de 45A, ideal para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Cuenta con un encapsulado de montaje superficial 8-DFNW y opera en un rango de temperaturas desde -55 °C hasta 175 °C.
¿Es compatible el MOSFET NTMTS002N10MCTXG con circuitos electrónicos estándar?
Sí, este MOSFET está diseñado para integrarse fácilmente en diversos diseños de circuitos, con un voltaje de puerta máximo de ±20V y voltajes de conducción compatibles de 6V y 10V. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta eficiencia.
¿Cuáles son los usos principales del MOSFET NTMTS002N10MCTXG?
Este MOSFET es ideal para la gestión de energía, control de motores, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de alta potencia donde son esenciales una baja Rds On y una alta capacidad de corriente.
¿De qué manera el tipo de encapsulado del NTMTS002N10MCTXG mejora su rendimiento?
El encapsulado de montaje superficial 8-DFNW garantiza un buen rendimiento térmico y una colocación confiable en espacios compactos, soportando una disipación de potencia de hasta 255W en la temperatura de caja.
¿Qué tipo de soporte postventa y disponibilidad de inventario ofrece este producto?
El NTMTS002N10MCTXG está en producción activa, con más de 360,000 unidades en stock. Como fabricante reconocido, onsemi proporciona soporte confiable y garantía de calidad para este producto.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NTMTS002N10MCTXG CAD Models
onsemi NTMTS002N10MCTXG PCB symbols & footprints
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