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NTTFD2D8N03P1E
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
3332 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 16.1A (Ta), 80A (Tc) 1.04W (Ta), 26W (Ta) Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
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NTTFD2D8N03P1E
Descripción del producto
12975634
Número de pieza
NTTFD2D8N03P1E-DGFabricante
onsemi
NTTFD2D8N03P1E
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFNInventario
3332 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 16.1A (Ta), 80A (Tc) 1.04W (Ta), 26W (Ta) Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
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NTTFD2D8N03P1E Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.1A (Ta), 80A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Potencia - Máx.
1.04W (Ta), 26W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
12-PowerWQFN
Paquete de dispositivos del proveedor
12-WQFN (3.3x3.3)
Número de producto base
NTTFD2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar NTTFD2D8N03P1E Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
NTTFD2D8N03P1E
Hoja de datos HTML
NTTFD2D8N03P1E-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NTTFD2D8N03P1ECT
488-NTTFD2D8N03P1ETR
488-NTTFD2D8N03P1EDKR
2832-NTTFD2D8N03P1ETR
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del arreglo de MOSFETs onsemi NTTFD2D8N03P1E?
Este arreglo de MOSFETs cuenta con dispositivos de canal N duales, con un voltaje máximo de drenaje a fuente de 30V, una corriente de drenaje continua de 16.1A a 25°C y una baja resistencia Rds(on) de 2.5mΩ. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia en un paquete compacto 12-WQFN.
¿Es el arreglo de MOSFETs onsemi NTTFD2D8N03P1E adecuado para circuitos de alta corriente?
Sí, con una corriente máxima de hasta 80A en condiciones de temperatura de la caja, este arreglo de MOSFETs es apto para aplicaciones de alta corriente, como módulos de alimentación y circuitos de control de motores.
¿Cuáles son las opciones de compatibilidad y montaje para este arreglo de MOSFETs?
Este dispositivo es de montaje superficial en un paquete 12-WQFN (3.3x3.3mm), compatible con procesos estándar de soldadura por reflujo, ideales para diseños electrónicos compactos.
¿Cuáles son los beneficios de escoger este arreglo de MOSFETs PowerTrench® de onsemi?
La tecnología PowerTrench® ofrece baja resistencia Rds(on) y alta eficiencia, reduciendo pérdidas de potencia y generación de calor, lo que mejora el rendimiento y la confiabilidad del sistema en general.
¿El arreglo de MOSFETs onsemi NTTFD2D8N03P1E cuenta con garantía o soporte, y cuál es su estado de inventario?
El arreglo de MOSFETs está en producción activa con más de 4,131 unidades en stock, y onsemi ofrece soporte para sus productos. Es compatible con RoHS3, asegurando estándares de fabricación respetuosos con el medio ambiente.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NTTFD2D8N03P1E CAD Models
onsemi NTTFD2D8N03P1E PCB symbols & footprints
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