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NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
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N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
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NVHL080N120SC1A
Descripción del producto
12938801
Número de pieza
NVHL080N120SC1A-DGFabricante
onsemi
NVHL080N120SC1A
Descripción
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Inventario
1000400 Pcs Nuevos Originales En Stock
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NVHL080N120SC1A Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
NVHL080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NVHL080N120SC1A
Hoja de datos HTML
NVHL080N120SC1A-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características y especificaciones del MOSFET onsemi NVHL080N120SC1A?
El NVHL080N120SC1A es un MOSFET de canal N de Carburo de Silicio (SiC) con una tensión nominal de 1200V y una corriente de drenaje continua de 31A a 25 °C, diseñado para aplicaciones de alta potencia. Cuenta con una baja Rds On de 110 mΩ a 20A/20V y es apto para temperaturas de funcionamiento de -55 °C a 175 °C, cumpliendo con los estándares automotrices.
¿Para qué aplicaciones es adecuado este MOSFET de SiC?
Este MOSFET de SiC es ideal para convertidores de potencia de alto voltaje, accionamientos industriales y sistemas de energía en automoción, debido a su alta capacidad de manejo de voltaje, eficiencia y rendimiento térmico. Su construcción robusta lo hace apto para entornos que demandan altas temperaturas y corrientes elevadas.
¿Es compatible el NVHL080N120SC1A con métodos de montaje en through-hole estándar?
Sí, este MOSFET cuenta con un paquete TO-247-3 diseñado para montaje mediante through-hole, lo que lo hace compatible con los procesos de ensamblaje convencionales utilizados en electrónica de potencia y equipos industriales.
¿Cuáles son los beneficios de utilizar tecnología de Carburo de Silicio (SiC) en este MOSFET?
La tecnología de Carburo de Silicio ofrece mayor eficiencia, velocidades de conmutación más rápidas y mejor rendimiento térmico en comparación con los MOSFETs tradicionales de silicio, lo que ayuda a reducir pérdidas de energía y a mejorar la fiabilidad del sistema en aplicaciones de alto voltaje.
¿Qué tipo de garantía o soporte está disponible para este producto MOSFET?
Este producto es un artículo nuevo y original de onsemi con estado activo y disponibilidad en stock. Los fabricantes generalmente ofrecen soporte técnico y condiciones de garantía; por favor, contacte al proveedor para obtener detalles específicos sobre soporte postventa y garantías.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NVHL080N120SC1A CAD Models
onsemi NVHL080N120SC1A PCB symbols & footprints
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