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Inspección visual y de embalaje
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NVMFS005N10MCLT1G
onsemi
PTNG 100V LL SO8FL
688300 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS005N10MCLT1G
Descripción del producto
12974637
Número de pieza
NVMFS005N10MCLT1G-DGFabricante
onsemi
NVMFS005N10MCLT1G
Descripción
PTNG 100V LL SO8FLInventario
688300 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS005N10MCLT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.4A (Ta), 108A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 192µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 131W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hoja de datos HTML
NVMFS005N10MCLT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS005N10MCLT1GDKR
488-NVMFS005N10MCLT1GTR
488-NVMFS005N10MCLT1GCT
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal N NVMFS005N10MCLT1G?
Este MOSFET de canal N cuenta con una tensión de drenaje a fuente de 100V, una corriente de drenaje continua máxima de 18.4A a 25°C y una baja resistencia Rds On de 5.1mΩ a 34A y 10V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia.
¿Es compatible el NVMFS005N10MCLT1G con la electrónica automotriz?
Sí, este MOSFET cuenta con certificación de grado para uso automotriz y cumple con la norma de calificación AEC-Q101, garantizando un rendimiento confiable en entornos automotrices.
¿Qué empaques están disponibles para el MOSFET NVMFS005N10MCLT1G?
Este MOSFET está disponible en un paquete de montaje superficial 8-PowerTDFN (5x6 mm) y en un paquete 8-SOFL (Small Outline Flanged), adecuado para diseños electrónicos compactos.
¿Cómo es el rendimiento en términos de disipación de potencia y gestión térmica del NVMFS005N10MCLT1G?
Posee una disipación máxima de potencia de 3.8W a temperatura ambiente y de 131W cuando se monta sobre un disipador térmico adecuado, con un rango de temperaturas de operación desde -55°C hasta 175°C, asegurando un rendimiento térmico robusto.
¿Existen ventajas al elegir este MOSFET para el diseño de mi fuente de alimentación conmutada?
Sí, su baja resistencia Rds On, alta capacidad de corriente y tolerancia a altas temperaturas lo hacen ideal para conmutación eficiente, reduciendo pérdidas de energía y mejorando la fiabilidad general del sistema.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NVMFS005N10MCLT1G CAD Models
onsemi NVMFS005N10MCLT1G PCB symbols & footprints
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