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Inspección visual y de embalaje
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NVMFS2D3P04M8LT1G
onsemi
MV8 P INITIAL PROGRAM
889091 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G
Descripción del producto
12974262
Número de pieza
NVMFS2D3P04M8LT1G-DGFabricante
onsemi
NVMFS2D3P04M8LT1G
Descripción
MV8 P INITIAL PROGRAMInventario
889091 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 2.7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5985 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NVMFS2D3P04M8L
Hoja de datos HTML
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del MOSFET P-Channel NVMFS2D3P04M8LT1G?
El NVMFS2D3P04M8LT1G es un MOSFET P-Channel con una tensión de drenaje a fuente de 40V, corriente de drenaje continua de 31A y una resistencia Rds On extremadamente baja de 2,2mΩ a 30A y 10V. Está diseñado para ofrecer alta eficiencia y operación confiable en aplicaciones automotrices y electrónicas.
¿Es adecuado el NVMFS2D3P04M8LT1G para uso en la industria automotriz?
Sí, este MOSFET está calificado bajo la normativa AEC-Q101, lo que lo hace apto para aplicaciones automotrices donde la fiabilidad y la resistencia a temperaturas (-55°C a 175°C) son fundamentales.
¿Qué opciones de embalaje están disponibles para el MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G?
Este MOSFET viene en un paquete superficial de 8 pines PowerTDFN (5x6 mm), ideal para diseños compactos en circuitos electrónicos y automotrices, y cumple con la normativa RoHS3.
¿Cómo gestiona el NVMFS2D3P04M8LT1G la disipación de energía y las condiciones térmicas?
Puede disipar hasta 3,8W a temperatura ambiente y hasta 205W cuando está montado en un disipador de calor o almohadilla térmica adecuados, con una temperatura máxima de operación de -55°C a 175°C.
¿Dónde puedo adquirir el MOSFET NVMFS2D3P04M8LT1G y cuál es su disponibilidad?
El NVMFS2D3P04M8LT1G está fácilmente disponible en stock, con más de 890,000 unidades ofrecidas por un proveedor confiable, garantizando una fuente segura para tus proyectos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NVMFS2D3P04M8LT1G CAD Models
onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G PCB symbols & footprints
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