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NVMFS6H824NLT1G
onsemi
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
688400 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G
Descripción del producto
12938856
Número de pieza
NVMFS6H824NLT1G-DGFabricante
onsemi
NVMFS6H824NLT1G
Descripción
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFNInventario
688400 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS6H824NLT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta), 110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 140µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads
Número de producto base
NVMFS6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NVMFS6H824NL
Hoja de datos HTML
NVMFS6H824NLT1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
488-NVMFS6H824NLT1GTR
488-NVMFS6H824NLT1GCT
488-NVMFS6H824NLT1GDKR
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G?
Este MOSFET de canal N presenta un voltaje Vds de 80V, una corriente de drenaje continua de 20A a 25°C y una baja resistencia Rds On de 4mΩ a 10V Vgs, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia.
¿El MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G es compatible con proyectos automotrices?
Sí, este MOSFET está calificado para uso automotriz con grado AEC-Q101, garantizando un rendimiento fiable en entornos exigentes.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas de este MOSFET de montaje superficial de canal N?
Es ideal para gestión de energía, control de motores, iluminación LED y otros circuitos que requieren conmutación de alta corriente con baja resistencia en estado encendido.
¿Cómo debo manejar y montar correctamente el MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G?
Este dispositivo está diseñado para montaje en superficie en encapsulado 5-DFN. El manejo adecuado incluye precauciones contra estática y una colocación precisa en la placa de circuito impreso para garantizar un rendimiento óptimo.
¿El MOSFET onsemi NVMFS6H824NLT1G cuenta con garantía o soporte postventa?
Sí, el MOSFET se vende como un producto nuevo y original en stock, con soporte disponible a través de distribuidores autorizados y los canales de atención al cliente de onsemi.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NVMFS6H824NLT1G CAD Models
onsemi NVMFS6H824NLT1G PCB symbols & footprints
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