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TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
1943 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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Descripción del producto

12939605

Número de pieza

TK200F04N1L,LXGQ-DG
TK200F04N1L,LXGQ

Descripción

MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM

Inventario

1943 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Cantidad
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TK200F04N1L,LXGQ Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie U-MOSVIII-H

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 200A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 0.9mOhm @ 100A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 214 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 14920 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)

Temperatura de funcionamiento 175°C

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220SM(W)

Paquete / Caja TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base TK200F04

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

TK200F04N1L

Hoja de datos HTML

TK200F04N1L,LXGQ-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
TK200F04N1L,LXGQ(O
264-TK200F04N1LLXGQCT
264-TK200F04N1LLXGQDKR
264-TK200F04N1LLXGQTR

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