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TK33S10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
3050 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
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TK33S10N1L,LQ

Descripción del producto

12943189

Número de pieza

TK33S10N1L,LQ-DG
TK33S10N1L,LQ

Descripción

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Inventario

3050 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Cantidad
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TK33S10N1L,LQ Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie U-MOSVIII-H

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 33A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 9.7mOhm @ 16.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 500µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2250 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento 175°C

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor DPAK+

Paquete / Caja TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base TK33S10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

TK33S10N1L

Hoja de datos HTML

TK33S10N1L,LQ-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba Semiconductor and Storage
4677
TK33S10N1L,LXHQ-DG
0.4426
Parametric Equivalent

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