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UF3C120040K4S
Qorvo
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
68556 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
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UF3C120040K4S
Descripción del producto
12930662
Número de pieza
UF3C120040K4S-DGFabricante
Qorvo
UF3C120040K4S
Descripción
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4Inventario
68556 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
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UF3C120040K4S Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
429W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
UF3C120040
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar UF3C120040K4S Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
UF3C120040K4S
Hoja de datos HTML
UF3C120040K4S-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
2312-UF3C120040K4S
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la clasificación de voltaje y corriente del MOSFET SICFET N-Channel (UF3C120040K4S)?
El MOSFET SICFET N-Channel soporta un voltaje de drenaje a fuente de 1200V y una corriente de drenaje continua de 65A a 25°C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente.
¿El MOSFET UF3C120040K4S es compatible con montaje a través de agujero para facilitar la instalación?
Sí, este MOSFET cuenta con un tipo de montaje mediante agujero usando el paquete TO-247-4, lo que simplifica la instalación y lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de potencia.
¿Cuáles son las principales ventajas de usar un JFET de SiC (Cascode SiCJFET) como el UF3C120040K4S en circuitos electrónicos?
Los JFET de SiC ofrecen una menor Rds(on), mayor eficiencia y mejor rendimiento térmico en comparación con los MOSFET tradicionales de silicio, lo que los hace adecuados para entornos de alta potencia y altas temperaturas.
¿Cuál es el rango de temperatura de operación y los límites de disipación de potencia de este MOSFET?
El MOSFET funciona de manera efectiva entre -55°C y 175°C y puede disipar hasta 429W en la temperatura de unión del cascode, garantizando un rendimiento confiable en aplicaciones de alta potencia.
¿El MOSFET UF3C120040K4S cumple con las regulaciones RoHS y es apto para uso industrial?
Sí, este MOSFET cumple con RoHS3 y cuenta con diversas certificaciones, lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales, automotrices y otras de alta confiabilidad.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
UF3C120040K4S CAD Models
Qorvo UF3C120040K4S PCB symbols & footprints
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