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SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SI2387DS-T1-GE3

Descripción del producto

12959113

Número de pieza

SI2387DS-T1-GE3-DG
SI2387DS-T1-GE3

Descripción

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

Inventario

15100 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SI2387DS-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie TrenchFET® Gen IV

Estado del producto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 2.1A (Ta), 3A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 10.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 395 pF @ 40 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SI2387DS

Hoja de datos HTML

SI2387DS-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR

Reviews

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햇***한길
Dec 02, 2025
5.0
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
Mar***aute
Dec 02, 2025
5.0
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
Galaxi***intaine
Dec 02, 2025
5.0
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
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Dec 02, 2025
5.0
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
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Dec 02, 2025
5.0
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした!
Charm***Chords
Dec 02, 2025
5.0
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
Brighte***houghts
Dec 02, 2025
5.0
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
Evergr***Voyage
Dec 02, 2025
5.0
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal P Vishay SI2387DS-T1-GE3?

El Vishay SI2387DS-T1-GE3 es un MOSFET de canal P con una tensión máxima de 80 V, una corriente de drenaje continua de 2,1 A (a 25 °C), y presenta una resistencia Rds On baja de 164 mΩ a 10 V. Está diseñado para aplicaciones de montaje superficial con un encapsulado SOT-23 y utiliza tecnología de trinchera para un rendimiento de conmutación eficiente.

¿Es adecuado el Vishay SI2387DS-T1-GE3 para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?

Sí, la baja carga de puerta (10,2 nC a 10 V) y la baja capacitancia de entrada (395 pF a 40 V) de este MOSFET lo hacen apto para conmutación de alta velocidad y gestión eficiente de energía en diversos dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los usos típicos del MOSFET de canal P SI2387DS-T1-GE3 en circuitos electrónicos?

Este MOSFET de canal P es ideal para conmutación de cargas, gestión de energía y conmutación en el lado alto en aplicaciones de electrónica de consumo, automotrices e industriales, debido a su alta capacidad de voltaje y baja resistencia en estado encendido.

¿Es compatible el Vishay SI2387DS-T1-GE3 con procesos estándar de ensamblaje en montaje superficial?

Sí, el dispositivo se presenta en un encapsulado SOT-23-3, que es ampliamente utilizado en tecnología de montaje superficial, por lo que es compatible con los procesos estandarizados de ensamblaje de PCB y manufactura automatizada.

¿Qué tipos de soporte postventa están disponibles para el MOSFET Vishay SI2387DS-T1-GE3?

Dado que el producto es de Vishay, está activo y en stock, generalmente se dispone de soporte técnico, hojas de datos y servicios de garantía a través de distribuidores autorizados y los canales de atención al cliente de Vishay.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

Aseguramiento de Calidad
Prevención de falsificaciones y defectos

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Inspección visual y de embalaje

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