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SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
3100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
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SI8816EDB-T2-E1
Descripción del producto
12786731
Número de pieza
SI8816EDB-T2-E1-DGFabricante
Vishay Siliconix
SI8816EDB-T2-E1
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOTInventario
3100 Pcs Nuevos Originales En Stock
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SI8816EDB-T2-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
109mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
195 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-XFBGA
Número de producto base
SI8816
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SI8816EDB
Hoja de datos HTML
SI8816EDB-T2-E1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8816EDB-T2-E1CT
SI8816EDB-T2-E1TR
SI8816EDB-T2-E1DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET Vishay SI8816EDB-T2-E1?
El MOSFET Vishay SI8816EDB-T2-E1 es un transistor de canal N con una tensión máxima de drenaje-fuente de 30V, una corriente de drenaje continua de 1,5A y una baja resistencia Rds On de 109mOhm a 10V de Vgs, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación eficientes.
¿El Vishay SI8816EDB-T2-E1 es compatible con diseños estándar de PCB de montaje superficial?
Sí, este MOSFET cuenta con un paquete de montaje superficial Microfoot de 4 pines (4-XFBGA), diseñado para facilitar su integración en diseños de PCB de montaje superficial, garantizando un montaje compacto y confiable.
¿Qué aplicaciones son ideales para el MOSFET Vishay Si8816EDB-T2-E1?
Este MOSFET es ideal para conmutación de potencia, conmutación de cargas y otras aplicaciones que requieren alta eficiencia y baja pérdida de conducción en un formato compacto.
¿Qué hace que el Vishay SI8816EDB-T2-E1 sea una opción confiable para proyectos electrónicos?
Es compatible con RoHS3, tiene un amplio rango de temperatura de operación desde -55°C hasta 150°C, y presenta una baja carga de puerta, lo que garantiza durabilidad y eficiencia energética en diversos entornos.
¿Cómo puedo comprar el MOSFET Vishay SI8816EDB-T2-E1 y qué soporte postventa ofrecen?
El MOSFET está disponible en stock con 3740 unidades y puede adquirirse a través de distribuidores autorizados. Para soporte postventa, los fabricantes suelen ofrecer servicios de garantía y asistencia técnica.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SI8816EDB-T2-E1 CAD Models
Vishay Siliconix SI8816EDB-T2-E1 PCB symbols & footprints
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