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SIDR626LDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
18135 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIDR626LDP-T1-RE3

Descripción del producto

12945161

Número de pieza

SIDR626LDP-T1-RE3-DG
SIDR626LDP-T1-RE3

Descripción

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

Inventario

18135 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR626LDP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie TrenchFET® Gen IV

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 45.6A (Ta), 2.4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 135 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 5900 pF @ 30 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8DC

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Número de producto base SIDR626

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SiDR626LDP

Hoja de datos HTML

SIDR626LDP-T1-RE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIDR626LDP-T1-RE3TR
742-SIDR626LDP-T1-RE3CT

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