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SIHA22N60E-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
5816 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
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SIHA22N60E-E3
Descripción del producto
12787348
Número de pieza
SIHA22N60E-E3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIHA22N60E-E3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 21A TO220Inventario
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SIHA22N60E-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1920 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SIHA22
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar SIHA22N60E-E3 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
SIHA22N60E
Hoja de datos HTML
SIHA22N60E-E3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SIHA22N60E-E3CT-DG
SIHA22N60E-E3CT
2266-SIHA22N60E-E3
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
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Dec 02, 2025
친절하고 전문적인 서비스를 제공하며, 포장도 꼼꼼하게 되어 있어 만족스럽습니다.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET Vishay SIHA22N60E-E3?
El Vishay SIHA22N60E-E3 es un MOSFET de canal N con una tensión máxima de 600 V, una corriente de drenaje continua de 21 A y una resistencia Rds On baja de 180 mΩ, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta tensión.
¿Es compatible el Vishay SIHA22N60E-E3 con los controladores estándar de MOSFET?
Sí, este MOSFET tiene una tensión máxima de puerta de 10 V y un umbral Vgs de 4 V, lo que lo hace compatible con controladores de MOSFET típicos en diversos circuitos electrónicos.
¿Cuáles son las aplicaciones comunes de este MOSFET de canal N de 600 V y 21 A?
Este MOSFET es ideal para conmutación de potencia, control de motores, fuentes de alimentación y circuitos inversores de alta tensión debido a su alta capacidad de tensión y disipación de potencia.
¿Cómo puedo adquirir el Vishay SIHA22N60E-E3 a granel y cuál es su disponibilidad en stock?
El MOSFET está disponible en grandes cantidades con más de 5,200 unidades en stock. Puede comprarlo directamente a través de distribuidores autorizados o proveedores de componentes electrónicos.
¿Qué consideraciones debo tener en cuenta respecto a la instalación y gestión térmica de este MOSFET?
Asegure una correcta montaje en orificio pasante para una conexión eléctrica fiable y utilice disipadores de calor adecuados para gestionar una disipación de potencia de hasta 35 W, manteniendo temperaturas óptimas de funcionamiento entre -55°C y 150°C.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIHA22N60E-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHA22N60E-E3 PCB symbols & footprints
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