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SIHG21N60EF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
1360 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG21N60EF-GE3
Descripción del producto
12786860
Número de pieza
SIHG21N60EF-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIHG21N60EF-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 21A TO247ACInventario
1360 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG21N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2030 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SIHG21
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIHG21N60EF
Hoja de datos HTML
SIHG21N60EF-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
25
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Dec 02, 2025
Shipping was faster than I anticipated, and the process was very smooth from start to finish.
Dec 02, 2025
Very impressed with how swiftly they managed my order and their professional customer service.
Dec 02, 2025
I was impressed with the level of support I received; they truly prioritized customer satisfaction.
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las especificaciones clave del MOSFET de canal N Vishay SIHG21N60EF-GE3?
Este MOSFET presenta un voltaje entre drenaje y fuente de 600V, una corriente continua de drenaje de 21A a 25°C y una disipación máxima de potencia de 227W. Está diseñado para aplicaciones de alta tensión con una resistencia Rds(on) de 176mΩ a 11A y un voltaje de puerta de 10V.
¿Es el Vishay SIHG21N60EF-GE3 adecuado para conmutación de potencia de alta tensión?
Sí, con un voltaje entre drenaje y fuente de 600V y una capacidad de corriente robusta, este MOSFET es ideal para conmutación de potencia de alta tensión, fuentes de alimentación y circuitos de control de motores.
¿Qué tipo de montaje y encapsulado utiliza el MOSFET SIHG21N60EF-GE3?
Viene en un encapsulado de paso a través TO-247AC, adecuado para un montaje fácil en placas de circuito que requieran una conexión mecánica fiable y disipación de calor eficiente.
¿Cómo funciona el Vishay SIHG21N60EF-GE3 en términos de estabilidad térmica y eléctrica?
Este MOSFET opera de manera eficiente en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, con una alta capacidad de disipación de potencia y baja Rds(on) para garantizar un rendimiento estable durante su funcionamiento.
¿Cumple el Vishay SIHG21N60EF-GE3 con las normas ambientales y de seguridad?
Sí, es compatible con la normativa RoHS3, asegurando que está libre de sustancias peligrosas y es adecuado para la fabricación electrónica respetuosa con el medio ambiente.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIHG21N60EF-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHG21N60EF-GE3 PCB symbols & footprints
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