SIHG21N60EF-GE3 Vishay Siliconix
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SIHG21N60EF-GE3

Descripción del producto

12786860

Número de pieza

SIHG21N60EF-GE3-DG
SIHG21N60EF-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Inventario

1060 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Cantidad
Mínimo 1

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  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 1 4.0000 4.0000
  • 25 3.2100 80.1400
  • 100 2.7800 277.7100
  • 500 2.3600 1182.3300
  • 1000 2.0700 2069.2400
  • 2000 1.9700 3938.7300
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SIHG21N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tube

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 21A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 176mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 84 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2030 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 227W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-247AC

Paquete / Caja TO-247-3

Número de producto base SIHG21

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIHG21N60EF

Hoja de datos HTML

SIHG21N60EF-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
25
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones