SIHP22N60E-E3 Vishay Siliconix
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SIHP22N60E-E3

Descripción del producto

12787540

Número de pieza

SIHP22N60E-E3-DG
SIHP22N60E-E3

Descripción

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Inventario

1344 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantidad
Mínimo 1

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SIHP22N60E-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tube

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 21A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1920 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 227W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SIHP22

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SIHP22N60E-E3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHP22N60EE3

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
STP24N60M2
STMicroelectronics
2528
STP24N60M2-DG
3.1231
MFR Recommended
STP28N60M2
STMicroelectronics
19754
STP28N60M2-DG
1.4000
MFR Recommended
SIHG22N60E-GE3
Vishay Siliconix
5100
SIHG22N60E-GE3-DG
1.8800
Parametric Equivalent
STP30N65M5
STMicroelectronics
1516
STP30N65M5-DG
3.5673
MFR Recommended
STP24N60DM2
STMicroelectronics
3780
STP24N60DM2-DG
1.0007
MFR Recommended
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones