SIHP30N60E-E3 Vishay Siliconix
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SIHP30N60E-E3

Descripción del producto

12786217

Número de pieza

SIHP30N60E-E3-DG
SIHP30N60E-E3

Descripción

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Inventario

1260 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantidad
Mínimo 1

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SIHP30N60E-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 29A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2600 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SIHP30

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SIHP30N60E-E3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHP30N60EE3

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
470
IPP65R125C7XKSA1-DG
2.0900
MFR Recommended
STP34NM60N
STMicroelectronics
3092
STP34NM60N-DG
2.9258
MFR Recommended
AOT42S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2100
AOT42S60L-DG
2.6300
MFR Recommended
STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
1000
STP42N60M2-EP-DG
3.2900
Direct
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
1235
IPP60R099CPXKSA1-DG
4.0800
MFR Recommended
Certificación DIGI
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