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SIR496DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
1650 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR496DP-T1-GE3
Descripción del producto
12786505
Número de pieza
SIR496DP-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIR496DP-T1-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8Inventario
1650 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR496DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1570 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR496
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIR496DP
Hoja de datos HTML
SIR496DP-T1-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR496DP-T1-GE3CT
Q6936817FH
SIR496DP-T1-GE3TR
SIR496DPT1GE3
SIR496DP-T1-GE3DKR
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del MOSFET Vishay SIR496DP T1 G E3?
El Vishay SIR496DP T1 G E3 es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de reconocimiento de 20V y una corriente de drenaje continua de 35A, adecuado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Cuenta con un paquete PowerPAK SO-8, bajo Rds On para una conducción eficiente de energía y funciona en un rango de temperatura de -55°C a 150°C.
¿Es compatible el MOSFET Vishay SIR496DP T1 G E3 con voltajes bajos de puerta de control?
Sí, este MOSFET puede ser controlado con un voltaje máximo de Vgs de 10V para optimizar el Rds On, lo que lo hace compatible con controladores lógicos de niveles bajos en diferentes circuitos electrónicos.
¿Cuáles son los usos comunes del MOSFET de canal N Vishay SIR496DP T1 G E3?
Este MOSFET es ideal para gestión de energía, control de motores y aplicaciones de conmutación donde se requiera manejar altas corrientes y reducir pérdidas de conducción, especialmente en diseños compactos de montaje superficial.
¿Puedo utilizar el MOSFET Vishay SIR496DP T1 G E3 en entornos de alta temperatura?
Sí, está diseñado para operar de manera confiable hasta una temperatura de unión de 150°C, haciéndolo adecuado para aplicaciones industriales y de electrónica de potencia en condiciones de altas temperaturas.
¿Cómo afecta el estado de obsolescencia a la compra de este MOSFET de Vishay y existen alternativas adecuadas?
Dado que este modelo está marcado como obsoleto, es recomendable consultar con los proveedores sobre disponibilidad en stock o considerar MOSFETs alternativos con especificaciones similares, como el BSC046N02KSGAUMA1 o el SIR410DP T1 G E3.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIR496DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR496DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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