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SIR580DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
1041 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR580DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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SIR580DP-T1-RE3

Descripción del producto

12950694

Número de pieza

SIR580DP-T1-RE3-DG
SIR580DP-T1-RE3

Descripción

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Inventario

1041 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR580DP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen V

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 35.8A (Ta), 146A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 7.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 76 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 4100 pF @ 40 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIR580DP

Hoja de datos HTML

SIR580DP-T1-RE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR580DP-T1-RE3CT
742-SIR580DP-T1-RE3TR
742-SIR580DP-T1-RE3DKR

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