Prevención de falsificaciones y defectos
Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
Correo electrónico de servicio:
[email protected]
>
SIR814DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
3294 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Solicitar Cotización
(Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
5.0 / 5.0
- (57 Calificaciones)
SIR814DP-T1-GE3
Descripción del producto
12787318
Número de pieza
SIR814DP-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIR814DP-T1-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Inventario
3294 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Compra e consulta
Garantía y Devoluciones
Cómo hacer un pedido
Envío y Entrega
Aseguramiento de Calidad
365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.
Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.
Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.
Envío Global y Embalaje Seguro
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Empaquetado Antiestático 100% ESD
Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido
Pago seguro y flexible
Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más
Todos los pagos encriptados por seguridad
SIR814DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR814
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIR814DP-T1-GE3
Hoja de datos HTML
SIR814DP-T1-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
구매 후 지원도 훌륭했고, 배송도 매우 빠르게 도착해서 만족스러웠어요.
Dec 02, 2025
Customer service was outstanding; they supported me at every step.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics' eco packaging demonstrates their dedication to sustainability.
Dec 02, 2025
The overall design emphasizes durability, which has proven very reliable in everyday use.
Dec 02, 2025
The multiple layers of sustainable packaging showed attention to detail and environmental responsibility.
Dec 02, 2025
I appreciate the prompt shipping service, which often gets my products to me ahead of schedule, especially during peak seasons.
Dec 02, 2025
Reliable after-sales service makes us feel valued as a customer.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET Vishay SIR814DP-T1-GE3?
El Vishay SIR814DP-T1-GE3 es un MOSFET de canal N con una tensión de drenaje a fuente de 40 V, capaz de manejar una corriente continua de 60 A, con una resistencia Rds On baja de 2.1 mΩ, y está optimizado para aplicaciones de montaje superficial con encapsulado PowerPAK® SO-8.
¿Es el Vishay SIR814DP-T1-GE3 adecuado para aplicaciones de conmutación de alta corriente?
Sí, con una corriente de drenaje máxima continua de 60 A y una resistencia Rds On baja, este MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de alta corriente y gestión de energía, donde la eficiencia es primordial.
¿Qué requisitos de compatibilidad y voltaje de control necesita este MOSFET?
Este MOSFET requiere un voltaje de puerta de 4.5 V a 10 V para un rendimiento óptimo de Rds On, siendo compatible con circuitos de lógica estándar y de potencia.
¿Existen consideraciones especiales respecto al rango de temperatura de operación de este MOSFET?
El Vishay SIR814DP-T1-GE3 puede operar eficazmente en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, adecuado para entornos exigentes y condiciones térmicas variadas.
¿Dónde puedo comprar el MOSFET Vishay SIR814DP-T1-GE3 y qué soporte postventa ofrece?
Este MOSFET está disponible en stock con proveedores autorizados; asegúrate de adquirirlo a distribuidores confiables para obtener productos genuinos. Para soporte técnico, consulta los recursos de Vishay o el servicio al cliente de tu proveedor.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SIR814DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR814DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
