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SIR826LDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
4809 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 80 V 21.3A (Ta), 86A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR826LDP-T1-RE3

Descripción del producto

12945159

Número de pieza

SIR826LDP-T1-RE3-DG
SIR826LDP-T1-RE3

Descripción

MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK

Inventario

4809 Pcs Nuevos Originales En Stock
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SIR826LDP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 21.3A (Ta), 86A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 91 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 3840 pF @ 40 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 5W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Número de producto base SIR826

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIR826LDP-T1-RE3

Hoja de datos HTML

SIR826LDP-T1-RE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR826LDP-T1-RE3TR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
RS3L045GNGZETB
Rohm Semiconductor
2185
RS3L045GNGZETB-DG
0.2493
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET N-Channel Vishay SIR826LDP-T1-RE3?

El Vishay SIR826LDP-T1-RE3 es un MOSFET de canal N con una clasificación de voltaje de 80 V, una corriente de drenaje continua de 21.3 A a 25 °C y una corriente pulsante de hasta 86 A. Cuenta con un paquete PowerPAK® SO-8 diseñado para montaje en superficie y presenta una resistencia Rds(on) baja de 5 mΩ a 15 A y 10 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta eficiencia.

¿Cómo funciona el MOSFET Vishay SIR826LDP-T1-RE3 en ambientes de alta temperatura?

Este MOSFET puede operar en un rango de temperatura de -55 °C a 150 °C (TJ), garantizando un rendimiento confiable en una amplia gama térmica. Su capacidad de disipación de potencia es de hasta 5 W a temperatura ambiente y hasta 83 W con la caja fría, siendo adecuado para tareas exigentes de gestión de energía.

¿Es compatible el Vishay SIR826LDP-T1-RE3 con diseños estándar de placas de circuito impreso (PCB) de montaje en superficie?

Sí, el dispositivo cuenta con un paquete PowerPAK® SO-8 para montaje en superficie, compatible con procesos estándar SMT, facilitando su integración en diseños compactos de PCB para una gestión eficiente de potencia y espacio.

¿Cuáles son las aplicaciones típicas del MOSFET Vishay SIR826LDP-T1-RE3?

Este MOSFET es ideal para aplicaciones que requieren alta eficiencia y conmutación rápida, como fuentes de alimentación, controladores de motor, convertidores DC-DC y conmutación de cargas en dispositivos electrónicos.

¿Qué tipo de soporte postventa y garantía puedo esperar al comprar el MOSFET Vishay SIR826LDP-T1-RE3?

Como producto original de Vishay en stock, cuenta con la garantía y soporte estándar del fabricante. Para soporte postventa detallado, puede contactar directamente al proveedor o consultar la política de garantía de Vishay para reemplazos o asistencia técnica.

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