SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIS468DN-T1-GE3

Descripción del producto

12785978

Número de pieza

SIS468DN-T1-GE3-DG
SIS468DN-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
N-Channel 80 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS468DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 30A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 19.5mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 780 pF @ 40 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8

Número de producto base SIS468

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SIS468DN-T1-GE3-DG

Hojas de datos

SIS468DN

SIS468DN

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIS468DN-T1-GE3TR
SIS468DN-T1-GE3DKR
SIS468DN-T1-GE3CT
SIS468DNT1GE3

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
FDMC86324
onsemi
4642
FDMC86324-DG
0.56
MFR Recommended
RQ7E110AJTCR
Rohm Semiconductor
1294
RQ7E110AJTCR-DG
0.33
MFR Recommended
RQ3L050GNTB
Rohm Semiconductor
14048
RQ3L050GNTB-DG
0.24
MFR Recommended
Certificación DIGI
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