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SISS76LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
360300 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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SISS76LDN-T1-GE3

Descripción del producto

12945157

Número de pieza

SISS76LDN-T1-GE3-DG
SISS76LDN-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK

Inventario

360300 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
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SISS76LDN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie TrenchFET® Gen IV

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 70 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 3.3V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs 6.25mOhm @ 10A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id 1.6V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 33.5 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.) ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2780 pF @ 35 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8SH

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8SH

Número de producto base SISS76

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SISS76LDN-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR

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청***늘
Dec 02, 2025
5.0
비용 대비 성능이 뛰어나서 구매한 후 후회 없어요.
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
5.0
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal N Vishay SISS76LDN-T1-GE3?

Este MOSFET ofrece una tensión de drenaje a fuente de 70V, una corriente continua de drenaje de hasta 67.4A a temperatura de encapsulado, y presenta una resistencia Rds On baja de 6,25 miliOhmios, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Está construido con tecnología TrenchFET® Gen IV y viene en un paquete Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH.

¿Es compatible el Vishay SISS76LDN-T1-GE3 con controladores lógicos de bajo voltaje?

Sí, este MOSFET puede ser alimentado con voltajes lógicos tan bajos como 3,3V, gracias a su voltaje máximo de conducción de puerta y a su baja resistencia Rds On, lo que lo hace compatible con circuitos de control modernos de bajo voltaje.

¿Cuáles son las aplicaciones típicas de este MOSFET PowerPAK?

Este MOSFET de canal N es ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación de alta eficiencia, accionamientos de motores, iluminación LED y otras aplicaciones que requieran manejo de altas corrientes y bajas pérdidas por conducción.

¿Es el Vishay SISS76LDN-T1-GE3 adecuado para ambientes de alta temperatura?

Sí, funciona en un rango de temperaturas de -55°C a 150°C, lo que le permite desempeñarse de manera confiable en condiciones térmicas exigentes, habituales en la electrónica de potencia.

¿Qué opciones de garantía y soporte están disponibles para la compra de este MOSFET?

Como una pieza nueva y original en stock, este MOSFET cuenta con las políticas estándar de soporte y garantía de Vishay. Para soporte postventa específico, por favor contacte directamente al distribuidor o a Vishay.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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Inspección visual y de embalaje

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Verificación del rendimiento eléctrico

Verificación de la apariencia del componente, marcas, códigos de fecha, integridad del embalaje y coherencia de la etiqueta para garantizar la trazabilidad y conformidad.

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