SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIZ918DT-T1-GE3

Descripción del producto

12787776

Número de pieza

SIZ918DT-T1-GE3-DG
SIZ918DT-T1-GE3

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR

Inventario

21637 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Cantidad
Mínimo 1

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SIZ918DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)

Función FET Logic Level Gate

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 16A, 28A

rds activados (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 21nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 790pF @ 15V

Potencia - Máx. 29W, 100W

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 8-PowerWDFN

Paquete de dispositivos del proveedor 8-PowerPair® (6x5)

Número de producto base SIZ918

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIZ918DT

Hoja de datos HTML

SIZ918DT-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3
Certificación DIGI
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