SQ3426EV-T1_GE3
SQ3426EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
3200 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SQ3426EV-T1_GE3

Descripción del producto

12787212

Número de pieza

SQ3426EV-T1_GE3-DG
SQ3426EV-T1_GE3

Descripción

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

Inventario

3200 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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SQ3426EV-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 7A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 720 pF @ 30 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Grado Automotive

Calificación AEC-Q101

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor 6-TSOP

Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Número de producto base SQ3426

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SQ3426EV

Hoja de datos HTML

SQ3426EV-T1_GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SQ3426EV-T1_GE3CT
SQ3426EV-T1_GE3TR
SQ3426EV-T1_GE3DKR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
SQ3426CEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
3036
SQ3426CEV-T1_GE3-DG
0.1452
MFR Recommended
SQ3426EV-T1_BE3
Vishay Siliconix
30200
SQ3426EV-T1_BE3-DG
0.2977
Parametric Equivalent

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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las características y especificaciones clave del MOSFET Vishay SQ3426EV-T1_GE3?
El MOSFET Vishay SQ3426EV-T1_GE3 es un transistor de canal N con una tensión nominal de 60 V y una corriente de drenaje continua de 7 A, diseñado para montaje en superficie en una carcasa 6-TSOP. Cuenta con una resistencia Rds On baja de 42 mΩ a 5 A y 10 V, y es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia.
¿Es compatible el MOSFET Vishay SQ3426EV-T1_GE3 con aplicaciones automotrices?
Sí, este MOSFET está certificado según las normas AEC-Q101, lo que lo hace apto para electrónica automotriz, donde la fiabilidad y durabilidad son fundamentales. Opera en un rango de temperatura de -55 °C a 175 °C, garantizando desempeño en entornos adversos.
¿Cuáles son los usos típicos y ventajas de emplear este MOSFET en proyectos electrónicos?
Este MOSFET es ideal para fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores y otros circuitos de alta corriente debido a su baja resistencia Rds On, alta capacidad de corriente y amplio rango de temperaturas. Su diseño de montaje en superficie también facilita ensamblajes compactos y eficientes en placas de circuito impreso.
¿Cómo afecta la tensión de puerta al rendimiento del MOSFET Vishay SQ3426EV-T1_GE3?
El MOSFET puede ser accionado con una Vgs máxima de 20 V, con un rendimiento óptimo entre 4,5 V y 10 V. Una tensión de puerta adecuada asegura una baja Rds On y una conmutación eficiente, reduciendo la disipación de calor y la pérdida de energía.
¿Cuáles son los detalles de embalaje y disponibilidad de este MOSFET Vishay?
El SQ3426EV-T1_GE3 está envasado en una carcasa de montaje en superficie 6-TSOP y disponible en embalaje de cinta recortada. Se encuentra en stock con aproximadamente 3.967 unidades, ofreciendo suministro confiable para producción en serie o prototipado.
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