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Inspección visual y de embalaje
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SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ112E-T1_GE3
Descripción del producto
12965597
Número de pieza
SQJQ112E-T1_GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3
Descripción
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)Inventario
240100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ112E-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
296A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15945 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Paquete / Caja
PowerPAK® 8 x 8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SQJQ112E
Hoja de datos HTML
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Reviews
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Dec 02, 2025
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del MOSFET N para automoción de Vishay (SQJQ112E-T1_GE3)?
Este MOSFET ofrece una clasificación de tensión de 100V, una corriente de drenaje continua alta de 296A y una disipación máxima de potencia de 600W. Presenta una baja resistencia Rds On (2,53 mΩ a 20A y 10V) y está diseñado para aplicaciones en el sector automotriz, garantizando un rendimiento fiable en entornos de alta potencia.
¿Es el MOSFET Vishay SQJQ112E-T1_GE3 adecuado para sistemas electrónicos automotrices?
Sí, este MOSFET está específicamente calificado para uso en automoción bajo el estándar AEC-Q101, lo que lo hace ideal para la gestión de energía en automóviles, control de motores y electrónica industrial que requiere alta durabilidad y fiabilidad.
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento de este MOSFET de potencia?
El Vishay SQJQ112E-T1_GE3 puede operar en un rango de temperatura de -55°C a 175°C (TJ), adecuado para ambientes automotrices e industriales severos.
¿Este MOSFET soporta tecnología de montaje superficial para facilitar la instalación en PCB?
Sí, cuenta con un embalaje PowerPAK® 8 x 8 con tipo de montaje superficial, lo que facilita su ensamblaje y ofrece un buen rendimiento térmico.
¿Qué debo saber sobre las características eléctricas y la fiabilidad de este MOSFET?
Este MOSFET tiene un voltaje de umbral de puerta de aproximadamente 3,5V, una carga de puerta baja de 272 nC y excelentes capacidades de manejo de corriente, garantizando bajas pérdidas por conducción y alta estabilidad en aplicaciones exigentes.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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