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SUD09P10-195-BE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
4845 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD09P10-195-BE3 Vishay Siliconix
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SUD09P10-195-BE3

Descripción del producto

12973812

Número de pieza

SUD09P10-195-BE3-DG
SUD09P10-195-BE3

Descripción

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

Inventario

4845 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SUD09P10-195-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 8.8A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 195mOhm @ 3.6A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 34.8 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1055 pF @ 50 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor TO-252AA

Paquete / Caja TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base SUD09

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SUD09P10-195-BE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
742-SUD09P10-195-BE3CT
742-SUD09P10-195-BE3DKR
742-SUD09P10-195-BE3TR

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Lich***wald
Dec 02, 2025
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Die Nachverkaufsbetreuung bei Di Digi Electronics ist hervorragend. Probleme werden schnell und professionell gelöst.
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Dec 02, 2025
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Shimme***gLights
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET de canal P Vishay SUD09P10-195-BE3?

Este MOSFET es de canal P, con una tensión nominal de 100 V y una corriente continua de drenaje de 8.8 A. Incluye una baja resistencia Rds On (195 mΩ a 10 V), es de montaje en superficie mediante encapsulado TO-252AA y es apropiado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia.

¿Es compatible el MOSFET Vishay SUD09P10-195-BE3 con diferentes voltajes de puerta?

Sí, el MOSFET puede ser activado con un Vgs máximo de ±20 V y tiene un voltaje de conducción típico entre 4.5 V y 10 V, lo que lo hace compatible con circuitos de puerta estándar para un rendimiento eficiente.

¿Cuáles son las aplicaciones típicas de este MOSFET de canal P de Vishay?

Este MOSFET es ideal para el conmutamiento de potencia en electrónica de consumo, automotriz y aplicaciones industriales donde se requiere alta eficiencia y rendimiento confiable en diseños de montaje en superficie.

¿Es el Vishay SUD09P10-195-BE3 adecuado para entornos de alta temperatura?

Sí, funciona en un rango de temperatura de -55 °C a 150 °C, asegurando estabilidad y rendimiento en condiciones de alta temperatura comúnmente presentes en la electrónica de potencia.

¿Cuáles son los beneficios de elegir este MOSFET de Vishay en mi proyecto?

Su baja resistencia Rds On, alta capacidad de disipación de potencia y diseño compacto para montaje en superficie lo convierten en una opción confiable para una gestión eficiente de la energía y aplicaciones de conmutación a alta velocidad.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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Inspección visual y de embalaje

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