SUP60N10-16L-E3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (167 Calificaciones)

SUP60N10-16L-E3

Descripción del producto

12787452

Número de pieza

SUP60N10-16L-E3-DG
SUP60N10-16L-E3

Descripción

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Inventario

1100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 60A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantidad
Mínimo 1

Compra e consulta

RFQ (Solicitud de Cotizaciones)

Puedes enviar tu consulta de RFQ directamente en la página de detalles del producto o en la página de RFQ. Nuestro equipo de ventas responderá a tu solicitud dentro de 24 horas.

Método de pago

Ofrecemos varios métodos de pago convenientes, incluyendo PayPal (recomendado para nuevos clientes), tarjetas de crédito y transferencias bancarias (T/T) en USD, EUR, HKD y otros.

AVISO IMPORTANTE

Después de enviar la solicitud de cotización (RFQ), recibirás un correo electrónico en tu bandeja de entrada sobre la recepción de tu consulta. Si no lo recibes, nuestra dirección de correo electrónico puede haber sido identificada incorrectamente como spam. Por favor, revisa tu carpeta de spam y agrega nuestra dirección de correo electrónico [email protected] a tu lista blanca para asegurarte de recibir nuestra cotización. Debido a la posibilidad de fluctuaciones en el inventario y los precios, nuestro equipo de ventas necesita reconfirmar tu consulta o pedido y enviarte cualquier actualización por correo electrónico de manera oportuna. Si tienes alguna otra pregunta o necesitas ayuda adicional, no dudes en hacérnoslo saber.

Solicitar Cotización(Envía mañana)
Cantidad
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

SUP60N10-16L-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 60A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 16mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 3820 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SUP60

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SUP60N10-16L-E3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
500

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IRF3710ZPBF
Infineon Technologies
1284
IRF3710ZPBF-DG
2.0641
MFR Recommended
PSMN009-100P,127
NXP Semiconductors
1500
PSMN009-100P,127-DG
1.4400
MFR Recommended
PSMN015-100P,127
Nexperia USA Inc.
1100
PSMN015-100P,127-DG
1.0600
MFR Recommended
IPP147N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
17762
IPP147N12N3GXKSA1-DG
0.7500
MFR Recommended
IPP180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
3250
IPP180N10N3GXKSA1-DG
0.4200
MFR Recommended
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones