SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix
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SUP70060E-GE3

Descripción del producto

12787500

Número de pieza

SUP70060E-GE3-DG
SUP70060E-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB

Inventario

1100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantidad
Mínimo 1

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  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 1 1.8400 1.8400
  • 50 1.5300 76.2900
  • 100 1.2200 121.5800
  • 1000 0.8700 872.8900
  • 5000 0.8000 3990.3600
  • 10000 0.7600 7632.6300
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SUP70060E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Bulk

Serie ThunderFET®

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 131A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 7.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 5.8mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 81 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 3330 pF @ 50 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 200W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SUP70060

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SUP70060E

Hoja de datos HTML

SUP70060E-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
50

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
CSD19531KCS
Texas Instruments
4174
CSD19531KCS-DG
0.8200
MFR Recommended
IXFP180N10T2
IXYS
1924
IXFP180N10T2-DG
3.0000
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