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SQJ488EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
3673 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ488EP-T1_GE3
Descripción del producto
13006422
Número de pieza
SQJ488EP-T1_GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SQJ488EP-T1_GE3
Descripción
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8Inventario
3673 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ488EP-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
979 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SQJ488
Hoja de Datos y Documentos
Hoja de datos HTML
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características y especificaciones del MOSFET Vishay SQJ488EP-T1_GE3?
El MOSFET Vishay SQJ488EP-T1_GE3 es un transistor de canal N con una tensión nominal de 100 V, una corriente de drenaje continua de 42 A y una disipación de potencia de 83 W. Cuenta con un encapsulado PowerPAK® SO-8, alta capacidad de corriente y baja resistencia Rds On para un rendimiento eficiente.
¿Es este MOSFET adecuado para aplicaciones automotrices?
Sí, este MOSFET está calificado bajo el estándar AEC-Q101, lo que lo hace apto para aplicaciones automotrices que requieren conmutación de potencia confiable en condiciones adversas.
¿Cuál es el rango de temperatura de operación del Vishay SQJ488EP-T1?
El MOSFET puede operar en un rango de temperatura de -55 °C a 175 °C, garantizando durabilidad y rendimiento confiable en diversos entornos.
¿Qué nivel de compatibilidad tiene este MOSFET de canal N con diferentes voltajes de puerta?
Este MOSFET puede ser accionado con un Vgs máximo de ±20 V y requiere un voltaje de control de puerta de 4.5 V a 10 V para un Rds On óptimo, siendo compatible con circuitos de conducción de puerta comunes.
¿Qué opciones de embalaje están disponibles para este MOSFET y cómo afectan la instalación?
El MOSFET está disponible en embalaje de cinta y carrete (TR) y en tira cortada (CT), ambos adecuados para ensamblaje automatizado de montaje superficial, asegurando una instalación eficiente en la fabricación electrónica.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SQJ488EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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