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SUM110P08-11L-E3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
1919 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110P08-11L-E3
Descripción del producto
13006245
Número de pieza
SUM110P08-11L-E3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SUM110P08-11L-E3
Descripción
MOSFET P-CH 80V 110A TO263Inventario
1919 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 80 V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110P08-11L-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10850 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SUM110
Hoja de Datos y Documentos
Hoja de datos HTML
SUM110P08-11L-E3-DG
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del MOSFET P-Channel Vishay SUM110P08-11L-E3?
El SUM110P08-11L-E3 es un MOSFET de canal P con una tensión de drenaje a fuente de 80V, corriente continua de drenaje de 110A y una resistencia Rds On baja de 11.2 mΩ. Está diseñado para conmutación de potencia de alta eficiencia, con una disipación máxima de potencia de 13.6W a temperatura ambiente, y cuenta con un encapsulado de montaje superficial TO-263.
¿Qué aplicaciones son adecuadas para este MOSFET de canal P de la serie TrenchFET de Vishay?
Este MOSFET es ideal para gestión de energía, conmutación de carga, control de motores y otras aplicaciones de conmutación de altos amperajes que requieren dispositivos fiables y de alto rendimiento operando hasta 175°C. Su alta capacidad de corriente y baja resistencia en encendido lo hacen apto para Electrónica automotriz, industrial y de consumo.
¿Es compatible el Vishay SUM110P08-11L-E3 con placas de circuito estándar y qué tipo de montaje utiliza?
Sí, este MOSFET utiliza un encapsulado de montaje superficial TO-263 (D2PAK), compatible con diseños estándar de PCB de montaje superficial. Es adecuado para ensamblajes compactos y diseños de alta densidad en placas.
¿Cuáles son las ventajas de usar este MOSFET con baja Rds On y altas capacidades de corriente?
Una baja Rds On reduce las pérdidas de energía y la generación de calor, mejorando la eficiencia y disminuyendo las necesidades de refrigeración. Su alta capacidad de corriente le permite manejar cargas de potencia exigentes, convirtiéndolo en una opción confiable para aplicaciones de conmutación de alta potencia.
¿Cómo puedo adquirirlo y cuál es su disponibilidad en stock?
El MOSFET Vishay SUM110P08-11L-E3 está disponible en formato de cinta y carrete, con más de 2,370 unidades en stock, garantizando una rápida disponibilidad para proyectos en volumen o de entrega rápida. Puede comprarse directamente a través de distribuidores autorizados o proveedores de componentes electrónicos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SUM110P08-11L-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SUM110P08-11L-E3 PCB symbols & footprints
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